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NVTFS4823N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1200
V GS = 0 V
10
Q T
1000
800
600
C iss
T J = 25 ° C
8
6
400
4
Q gs
Q gd
200
0
0
C oss
C rss
5 10 15 20 25
30
2
0
0
2
4 6 8
V DS = 15 V
I D = 15 A
T J = 25 ° C
10
12
1000
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
40
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Charge
100
V DD = 15 V
I D = 10 A
V GS = 10 V
t r
30
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(off)
t d(on)
10
1.0
1
t f
10
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
30
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
V GS = 10 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
25
I D = 24 A
20
10 m s
10
100 m s
15
1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
10 ms
1 ms
dc
10
5
Package Limit
0.1
0.1
1 10
100
0
25
50 75 100 125 150
200
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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